[发明专利]具有等离子体源的原子层沉积

摘要

本发明涉及一种方法，所述方法包括操作等离子体原子层沉积反应器，所述反应器被构造成在反应室（335）中在至少一个基材（360）上通过顺序的自饱和表面反应来沉积材料；和基本上在整个沉积周期期间使来自不活泼气体源的气体流入到朝向反应室开口的变宽的自由基进给部件中。本发明还涉及相应的设备。

主权项

一种方法，所述方法包括：操作等离子体原子层沉积反应器，所述反应器被构造成在反应室中在至少一个基材上通过顺序自饱和表面反应来沉积材料；和基本上在整个沉积周期期间允许来自不活泼气体源的气体经远程等离子体源流向朝向所述反应室开口的变宽的自由基进给部件；和在等离子体原子层沉积期期间，引导惰性气体经热原子层沉积进给管线去往所述反应室，所述热原子层沉积进给管线与在等离子体原子层沉积期期间将自由基经其引入所述反应室的等离子体源管线分开。