[发明专利]半导体装置、具备该半导体装置的逆变器装置、以及具备该半导体装置及逆变器装置的车用旋转电机

摘要

本发明的半导体装置包括：通过焊料（61）与第一基板（11）接合的第一MOS-FET（21）、通过焊料（64）与第二基板（12）接合的第二MOS-FET（22）、将第一基板（11）与第二MOS-FET（22）接合的第一引线（31）、以及将第二MOS-FET（22）与电流路径构件（13）接合的第二引线（32），该电流路径构件（13）从外部接受两个MOS-FET（21、22）的导通电流或将两个MOS-FET（21、22）的导通电流传输到外部，第二基板12的刚性高于两条引线（31、32）的刚性，而且，包含由两个MOS-FET（21、22）相对的间隙部（52）、并向两个MOS-FET（21、22）不相对的方向延伸的边界线（D-D）与第二基板（12）相交，而不与两条引线（31、32）相交。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：由导电体形成的第一基板；第一半导体元件，该第一半导体元件的第一电极面通过接合材料电接合在所述第一基板上；由导电体形成的第二基板，该第二基板与所述第一基板隔开距离；第二半导体元件，该第二半导体元件与所述第一半导体元件相邻，且该第二半导体元件的第一电极面通过接合材料电接合在所述第二基板上；第一引线，该第一引线通过接合材料将所述第一半导体元件的第二电极面与所述第二基板电接合；电流路径构件，该电流路径构件与所述第一基板及所述第二基板都隔开距离，从外部接受所述两个半导体元件的导通电流、或向外部传输所述两个半导体元件的导通电流；第二引线，该第二引线通过接合材料将所述第二半导体元件的第二电极面与所述电流路径构件电接合；以及密封材料，该密封材料至少将所述各构成部件进行密封，所述第二基板的刚性高于所述第一引线及所述第二引线的刚性，并且，将由所述第一半导体元件与所述第二半导体元件相对的间隙部包含在内的、沿着所述两个半导体元件不相对的方向延伸的边界线与所述第二基板相交，而不与所述第一引线及所述第二引线相交。