[发明专利]具有集成在同一电介质层中的电容器和金属布线的半导体结构在审
申请号: | 201180070565.1 | 申请日: | 2011-12-06 |
公开(公告)号: | CN103503139A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | N·林德特 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8247 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了具有集成在同一电介质层中的电容器和金属布线的半导体结构。例如,半导体结构包括设置在衬底之中或之上的多个半导体器件。在多个半导体器件上设置有一个或多个电介质层。每个电介质层中设置有金属布线。金属布线电耦合至一个或多个半导体器件。金属-绝缘体-金属(MIM)电容器设置在电介质层中的一个中,并邻近所述至少一个电介质层的金属布线。MIM电容器电耦合至一个或多个半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 具有 集成 同一 电介质 中的 电容器 金属 布线 半导体 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体结构,包括:设置在衬底之中或之上的多个半导体器件;设置在所述多个半导体器件之上的一个或多个电介质层;设置在每个所述电介质层中并且电耦合至一个或多个所述半导体器件的金属布线;以及设置在所述电介质层中的至少一个电介质层中的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器,其邻近所述至少一个电介质层的所述金属布线,并且电耦合至一个或多个所述半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的