[发明专利]具有集成在同一电介质层中的电容器和金属布线的半导体结构在审

专利信息
申请号: 201180070565.1 申请日: 2011-12-06
公开(公告)号: CN103503139A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: N·林德特 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8247
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 描述了具有集成在同一电介质层中的电容器和金属布线的半导体结构。例如,半导体结构包括设置在衬底之中或之上的多个半导体器件。在多个半导体器件上设置有一个或多个电介质层。每个电介质层中设置有金属布线。金属布线电耦合至一个或多个半导体器件。金属-绝缘体-金属(MIM)电容器设置在电介质层中的一个中,并邻近所述至少一个电介质层的金属布线。MIM电容器电耦合至一个或多个半导体器件。
搜索关键词: 具有 集成 同一 电介质 中的 电容器 金属 布线 半导体 结构
【主权项】:
一种半导体结构,包括:设置在衬底之中或之上的多个半导体器件;设置在所述多个半导体器件之上的一个或多个电介质层;设置在每个所述电介质层中并且电耦合至一个或多个所述半导体器件的金属布线;以及设置在所述电介质层中的至少一个电介质层中的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器,其邻近所述至少一个电介质层的所述金属布线,并且电耦合至一个或多个所述半导体器件。
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