[发明专利]挠性器件的制造方法及挠性器件

摘要

一种制造挠性器件5的方法，是在表面具有羟基的支撑体1上涂布规定的溶液并烧成而形成剥离层2，在上述剥离层2上形成挠性基板3、器件4，以上述支撑体1与上述剥离层2之间为界，从上述支撑体1上剥离上述剥离层2、上述挠性基板3和上述器件4，来制造挠性器件5的方法，其中，在上述第2工序中的烧成温度为200℃以上且小于270℃的情况下，使上述规定的溶液中的烷基烷氧基硅烷衍生物中含有的硅原子数、与上述烷氧基钛衍生物中含有的钛原子数之比为3.3～4.1：1，在上述烧成温度为270℃以上330℃以下的情况下，使上述比为3.3～23：1，在上述烧成温度为超过330℃且350℃以下的情况下，使上述比为19～23：1。

主权项

一种挠性器件的制造方法，其包含：在表面具有羟基的支撑体上涂布规定的溶液而形成薄膜的第1工序、将所述薄膜烧成而形成剥离层的第2工序、在所述剥离层上形成挠性基板的第3工序、在所述挠性基板上形成器件的第4工序、和以所述支撑体与所述剥离层之间为界，从所述支撑体上剥离所述剥离层、所述挠性基板和所述器件的第5工序，所述规定的溶液含有烷基烷氧基硅烷衍生物和烷氧基钛衍生物，在所述第2工序中，涂布所述规定的溶液而形成的薄膜的烧成温度为200℃以上350℃以下，在所述烧成温度为200℃以上且小于270℃的情况下，所述烷基烷氧基硅烷衍生物中含有的硅原子数、与所述烷氧基钛衍生物中含有的钛原子数之比为3.3～4.1：1，在所述烧成温度为270℃以上330℃以下的情况下，所述比为3.3～23：1，在所述烧成温度为超过330℃且350℃以下的情况下，所述比为19～23：1。