[发明专利]MEMS传感器的校准有效
| 申请号： | 201180071239.2 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN103582607B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | B.D.霍梅耶尔;R.N.比克内尔 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;G01H17/00;G01V1/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 谢攀,徐红燕 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 微电子机械系统（MEMS）传感器被激发（304）。该MEMS传感器的响应被测量（306）。该MEMS传感器被校准（310）。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 校准 | ||
【主权项】：
一种校准微电子机械系统MEMS传感器的方法，其包括：激发所述MEMS传感器，其中所述MEMS传感器包括挠曲、电极和处理器；测量由MEMS传感器的激发所产生的MEMS传感器的响应；基于已测量的MEMS传感器的响应来确定MEMS传感器的参数；以及基于已确定的MEMS传感器的参数来校准MEMS传感器；其中MEMS传感器的参数由MEMS传感器的处理器来确定。
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