[发明专利]激光处理的导电衬底及其预先处理方法有效

专利信息
申请号: 201180071433.0 申请日: 2011-06-08
公开(公告)号: CN103563198B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: N.赞特;E.古斯塔夫森;R.维图伊斯;R.加斯帕里尼;F.格雷尤特 申请(专利权)人: ABB研究有限公司
主分类号: H02G5/06 分类号: H02G5/06;B23K26/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 柯广华,汤春龙
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种用于预先处理导电衬底(12)以便在其上焊接非金属材料(14)的方法。该方法包含(a)将衬底(12)放置在激光源(16)的激光范围中;以及(b)用来自激光源(16)的激光(24)照射衬底(12)的表面(18),由此在衬底表面(18)上形成微结构(20)。微结构(20)具有如下项中的至少一项a)至少0.2μm‑1的I/Ra比率,I是表面指数,Ra是平均粗糙度;或b)至少0.03μm‑1的I/Rz比率,I是表面指数,Rz是平均峰到谷距离。还提供了导电衬底(12)、供固体绝缘部件(704,706,712,714)使用的金属插入物(12,603)、绝缘体‑导体组件(26)和气体绝缘的开关装置站(700),以及绝缘体‑导体组件(26,600)在电力系统(700)中的使用。
搜索关键词: 激光 处理 导电 衬底 及其 预先 方法
【主权项】:
一种制造导体组件(26)的方法,所述导体组件包含导电衬底(12)和非金属材料(14),所述方法包括:‑ 预先处理所述导电衬底(12),其方式是通过将所述衬底(12)放置在激光源(16)的激光范围中;以及通过用来自所述激光源(16)的激光(24)照射所述衬底(12)的表面(18),由此在所述衬底表面(18)上形成微结构(20),其中所述微结构(20)具有如下项中的至少一项:a)至少0.2μm‑1的I/Ra比率,I是表面指数,Ra是平均粗糙度;b)至少0.03μm‑1的I/Rz比率,I是表面指数,Rz是平均峰到谷距离;以及‑ 将所述非金属材料(14)接合到所述导电衬底(12)的所述表面(18),其中所述接合包含将所述非金属材料(14)模压、喷涂、挤压、浇铸在所述导电衬底(12)上中的一项,其中:所述导电衬底(12)是适合于承载高压电力系统(700)中标称电流的核心导体。
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