[发明专利]半导体装置和其生产方法

摘要

本发明提供一种可稳定地获得低导通电阻同时实现高纵向击穿电压的半导体装置，和一种用于生产所述半导体装置的方法。所述半导体装置是以基于GaN的堆叠层形式形成的，包括n型漂移层(4)、p型层(6)和n型顶层(8)。所述半导体装置包括再生长层(27)，其被形成以便覆盖所述基于GaN的堆叠层的暴露于开口(28)的一部分，所述再生长层(27)包括通道。所述通道是在电子漂移层与电子供应层之间的界面处形成的二维电子气。当假定所述电子漂移层(22)具有厚度d时，所述p型层(6)具有在d到10d范围内的厚度，并且形成浓度从所述p型层中的p型杂质浓度降低的分级p型杂质层(7)，以便从所述p型层与所述n型顶层之间的界面延伸到所述n型顶层内部。

主权项

一种以基于GaN的堆叠层形式形成的半导体装置，其包括n型漂移层、位于所述n型漂移层上的p型层和位于所述p型层上的n型顶层，所述基于GaN的堆叠层具有从所述n型顶层延伸并穿过所述p型层到达所述n型漂移层的开口，所述半导体装置包含：再生长层，其被定位以便覆盖所述基于GaN的堆叠层的暴露于所述开口的一部分，所述再生长层包括通道，其中所述再生长层包括电子漂移层和电子供应层，并且所述通道是在所述电子漂移层与所述电子供应层之间的界面处形成的二维电子气，且当假定所述电子漂移层具有厚度d时，所述p型层具有在d到10d范围内的厚度，并且形成浓度从所述p型层中的p型杂质浓度降低的分级p型杂质层，以便从所述p型层与所述n型顶层之间的界面延伸到所述n型顶层内部。