[发明专利]具有半导体器件的基台的半导体单元有效

专利信息
申请号: 201180071547.5 申请日: 2011-06-17
公开(公告)号: CN103620764B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 亚历山大·奥夫契尼可夫;阿列克谢·科米萨诺夫;伊格尔·贝尔谢夫;斯卫特兰德·图德洛夫 申请(专利权)人: IPG光子公司
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34;H01L23/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 赵伟
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体单元包括基台以及与基台耦合的芯片。所述基台配置有底座和以及底座和芯片之间的多个层。将这些层之一,放热导电银(“Ag”)层沉积到底座的顶部上。选择银层的厚度,使得基台的累积热膨胀系数与芯片的热膨胀系数相匹配。耦合至芯片的有源区的是由弹性可延展材料制造的应力释放层。
搜索关键词: 具有 半导体器件 半导体 单元
【主权项】:
一种半导体单元,包括:底座,与底座间隔开的芯片,沉积于底座顶部上并与芯片耦合的散热导电银层,其中所述底座和所述银层确定了基台,位于银层和芯片之间、在银层顶部上的硬焊料层,至少一个导电应力释放层,在所述硬焊料层和所述芯片顶部上,所述应力释放层包括有纹理表面,所述应力释放层的有纹理表面配置有与所述硬焊料层接触的分隔开的突出部。
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