[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

摘要

提供一种具有高自由度的布局的半导体器件及该半导体器件的制造方法。在该半导体器件中，在第1部分（AR1）中，沿X轴方向交替地邻接地配置有多个p型阱（PW）和多个n型阱（NW），在沿Y轴方向夹着该AR1的一侧配置有相对于该多个PW的公共的供电区域（ARP2），在另一侧配置有相对于该多个NW的公共的供电区域（ARN2）。例如，在相对于PW的供电区域（ARP2）内形成有在X轴方向上具有细长形状的p+型的供电用扩散层（P+（DFE））。在AR1中，配置有跨着PW、NW的边界且沿X轴方向延伸的多个栅极层（GT）。由此形成多个MIS晶体管。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具有：包含第1部分至第3部分的第1导电型的第1阱区域；具有比所述第1阱区域高的杂质浓度的所述第1导电型的第1供电区域；和包含第4部分的第2导电型的第2阱区域，所述第1部分和所述第2部分在第1方向上与所述第4部分的两侧邻接地配置，所述第3部分具有向着所述第1方向延伸的形状，并在与所述第1方向相交的第2方向上与所述第1部分及第2部分连结且与所述第4部分邻接地配置，所述第1供电区域在所述第3部分内以大致矩形形状形成，并经由所述第1阱区域而对所述第1部分和所述第2部分供给规定的电压，所述第1供电区域的所述第1方向上的尺寸大于所述第2方向上的尺寸。