[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种二极管区（11）和IGBT区（13）被形成在同一半导体基板上的半导体装置。二极管区具备多个第一导电型的阳极层（115、116），所述多个第一导电型的阳极层（115、116）露出于半导体基板（100）的表面且被相互隔离。IGBT区具备多个第一导电型的体接触层（135），所述多个第一导电型的体接触层（135）露出于半导体基板的表面且被相互隔离。阳极层具备至少一个以上的第一阳极层（116）。第一阳极层（116）至少被形成在接近IGBT区的位置处，第一阳极层（116）各自的半导体基板平面方向上的面积，大于最接近二极管区的体接触层（135）的半导体基板平面方向上的面积。由此，由于从第一阳极层（116）注入有较多的空穴，因此能够降低第一二极管区（11a）的正向电压。能够抑制因从体接触层（135）注入的空穴减少而使二极管区的正向电压上升的情况，以及，热损耗增大的情况。

主权项

一种半导体装置，其为二极管区和绝缘栅双极性晶体管区被形成在同一半导体基板上的半导体装置，其中，二极管区具备：多个第一导电型的阳极层，其露出于半导体基板的表面且被相互隔离；第一导电型的二极管体层，其被形成于阳极层的背面侧，且与阳极层相比，第一导电型的杂质浓度较低；第二导电型的二极管漂移层，其被形成于二极管体层的背面侧；第二导电型的阴极层，其被形成于二极管漂移层的背面侧，且与二极管漂移层相比，第二导电型的杂质浓度较高，绝缘栅双极性晶体管区具备：第二导电型的发射层，其露出于半导体基板的表面；多个第一导电型的体接触层，其露出于半导体基板的表面且被相互隔离；第一导电型的绝缘栅双极性晶体管体层，其被形成于发射层以及体接触层的背面侧，且与体接触层相比，第一导电型的杂质浓度较低；第二导电型的绝缘栅双极性晶体管漂移层，其被形成于绝缘栅双极性晶体管体层的背面侧；第一导电型的集电层，其被形成于绝缘栅双极性晶体管漂移层的背面侧；绝缘栅双极性晶体管栅电极，其通过绝缘膜而与将发射层和绝缘栅双极性晶体管漂移层分离的范围内的绝缘栅双极性晶体管体层对置，阳极层具备至少一个以上的第一阳极层，第一阳极层至少被形成在接近绝缘栅双极性晶体管区的位置处，第一阳极层各自的半导体基板平面方向上的面积，大于最接近二极管区的体接触层的半导体基板平面方向上的面积。