[发明专利]石墨烯缺陷的改性在审
| 申请号： | 201180073451.2 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103796950A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | S·A·米勒;T·A·亚格尔 | 申请（专利权）人： | 英派尔科技开发有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B32B5/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一般性地描述了一种用于使包括石墨烯的层中的缺陷区域至少部分地改性的方法和系统的技术。在一些示例中，该方法可以包括接收位于基板上的层，其中，该层包括至少一些石墨烯和位于石墨烯中的至少一些缺陷区域。缺陷区域可以露出基板的暴露区域。方法也可以包括在充分的反应条件下使基板发生反应以在暴露区域中的至少一个中产生至少一个阳离子区域。方法可以进一步包括将石墨烯氧化物粘附到至少一个阳离子区域以产生石墨烯氧化物层。方法可以进一步包括使石墨烯氧化物层发生还原以在所述层中产生至少一个改性缺陷区域。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 缺陷 改性 | ||
【主权项】：
一种用于使基板上的层中的缺陷区域至少部分地改性的方法，其中，所述层包括石墨烯，所述方法包括：接收位于所述基板上的所述层，其中，所述层包括位于所述石墨烯中的至少一些缺陷区域，所述缺陷区域露出所述基板的暴露区域；在充分的反应条件下使所述基板发生反应以在所述暴露区域中的至少一个中产生至少一个阳离子区域；将石墨烯氧化物粘附到所述至少一个阳离子区域以产生石墨烯氧化物层；以及使所述石墨烯氧化物层发生还原以在所述层中产生至少一个改性缺陷区域。
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