[发明专利]制造氮化物半导体发光器件的方法以及由此制造出的氮化物半导体发光器件

摘要

根据本发明的一个方面，提供了用于制造氮化物半导体发光器件的方法和通过该方法制造的氮化物半导体发光器件。所述用于制造氮化物半导体发光器件的方法包括步骤：在衬底上形成第一和第二导电类型氮化物半导体层以形成在第一与第二导电类型氮化物半导体层之间包括有源层的发光结构；顺序地形成第一导电类型氮化物半导体层、有源层和第二导电类型氮化物半导体层；形成连接到第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；在第二导电类型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露第二导电类型氮化物半导体层的一部分；以及在被光致抗蚀剂膜暴露的第二导电类型氮化物半导体层上顺序地形成用作第二电极的反射金属层和阻挡层之后去除光致抗蚀剂膜。

主权项

一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括步骤：在衬底上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电类型氮化物半导体层和第二导电类型氮化物半导体层，在所述第一导电类型氮化物半导体层和所述第二导电类型氮化物半导体层之间插入了有源层；形成在衬底上顺序堆叠的第一导电类型氮化物半导体层、有源层和第二导电类型氮化物半导体层；形成第一电极以连接到所述第一导电类型氮化物半导体层；在所述第二导电类型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜，以暴露所述第二导电类型氮化物半导体层的一部分；以及在所述第二导电类型氮化物半导体层的被所述光致抗蚀剂膜暴露的部分上连续地形成反射金属层和阻挡金属层作为第二电极，并去除所述光致抗蚀剂膜。