[发明专利]非平面晶体管鳍状物制造在审
| 申请号： | 201180073746.X | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103843119A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | S·M·乔希;M·哈藤多夫 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书涉及制造具有非平面晶体管的微电子器件的领域。本说明书的实施例涉及非平面晶体管内鳍状物的掺杂，其中，诸如电介质材料的共形阻挡材料层可以用于在整个非平面晶体管鳍状物中实现基本上均匀的掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 晶体管 鳍状物 制造 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在非平面晶体管的多个晶体管鳍状物上形成共形阻挡材料层；去除一部分所述共形阻挡材料层，以露出所述多个晶体管鳍状物中的至少一个晶体管鳍状物；在露出的所述至少一个晶体管鳍状物上执行离子注入；以及去除所述共形阻挡材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
