[发明专利]八足形纳米晶体的有序超晶格结构、它们的制备方法及其应用

摘要

本发明涉及可控地实现八足形胶状纳米晶体的有序超晶格结构，该结构形成于液相中或固体基质上。这些结构可用在许多技术领域中。

主权项

一种超晶格结构，所述超晶格结构由八足形纳米晶体构成，所述八足形纳米晶体由相同或不同的化学组分构成并且形成八足体的有序的组合体，其特征在于，所述组合体选自：‑包含至少20个八足体的线性链；‑并排对齐的线性链的二维（2D）组合体；‑并排对齐的线性链的三维（3D）组合体；‑位于基质上的紧密堆积的八足体的2D单层，每个八足体有四足接触基质，并有四足指向离开基质的方向；其中用于制备所述超晶格结构的起始溶液中包含的纳米晶体的超过95%是具有核心和八个足的八足形纳米晶体，并且足的长度的标准偏差小于10%；并且其中所述核心包含在立方相中结晶的单质或化合物材料，所述材料选自：IV族半导体、III‑V族半导体、IV‑VI族半导体、II‑VI族半导体、单一元素的材料、一种或多种元素的氧化物、或虽未被包含在上述群组内但选自 Cu2Se、Cu2‑xSe、Cu2‑xSe1‑ySy、Cu2S、Cu2.86Te、Ag2Se、AgSe、Ag2S、Ag2Te、CoSe、CoSe2、CoS2、CoTe2、Co3Se4、Co9S8、ZnSO4、SeS、MnSe、MnSe2、MnS、MnSe2、MnTe2、MnS1‑ySey、MnSe1‑yTey、3C‑SiC、SiGe、CuIn1‑xGaxSe2、Zn3As2、Li3NbO4、La2CuO4、Ga4Se8、Ga1.33Se2、MnxIn1‑xAs、CdxMn1‑xTe、Mn0.4Pb3.6Te4、CuInxGa1–xSe2、CuInSe2、Ag0.28Ga2.56S4、YF3的一种材料；所述足包含在六方相中结晶的单质或化合物材料，所述材料选自：III‑V族半导体、IV‑VI族半导体、II‑VI族半导体、单一元素的材料、一种或多种元素的氧化物、或虽未被包含在上述群组内但选自Cu2S、Cu2‑xS、CuSe、Cu2Te、Cu2‑xSe1‑ySy、Cu2ZnSnS4、CuS、CoSe、CoTe、CoS、Ag2Se、MnS、MnTe、MnSe、MnTe1‑ySey、4H‑SiC、6H‑SiC、AsSb、SbN9,、Zn3.83Sb3、Bi2Te3、CdSb、LiNbO2、LiNbO2、PbI2 MoSe2、As0.5Ga0.5Mn2、AsMn、Ag0.144Ga1.286S2、Pt2Si3、Pt2Si的一种材料；其中所述超晶格结构是由n个链的2D平面组合体的垂直堆叠构成的3D组合体，所述n大于1，堆叠方向垂直于包含所述2D组合体的平面，其中每个2D组合体由八足体的m条链组成，所述m大于1，条件是n个2D平面组合体中的多达n‑1个能够被八足体的单一的链取代，其中每条链由数量大于零的八足体构成。