[发明专利]DRAM安全擦除

摘要

一种存储器，包括具有存储器单元(101)、联接至存储器单元的字线(WL(0)，WL(1)，WL(2)，WL(3))和位线(BL(0)，/BL(0)，BL(1)，/BL(1))的DRAM阵列(100)以及读出放大器(110)。存储器可用于执行方法，其中DRAM阵列(100)的字线设置为激活状态。当字线被激活时，根据联接至字线的存储器单元和各个位线之间的电荷的流动在各个位线上产生信号。连接至各个位线的读出放大器可以保持退激活以使读出放大器不将信号放大至可存储信号电平。然后，当字线再次被设为退激活状态时，不足的电荷保持在联接至字线的存储器单元中以便擦除存储在联接至字线的存储器单元中的电荷。可以使用DRAM阵列的全部或所选范围的每个其余的字线重复这些步骤以擦除存储在整个DRAM阵列或所选范围内的数据。

主权项

一种擦除存储在动态随机存取存储器(DRAM)阵列中的数据的方法，包括：(a)将所述DRAM阵列的字线设置为激活状态，从而使得电荷根据存储在存储器单元中的所述数据在联接至所述字线和各个位线的所述存储器单元之间流动，其中根据联接至所述字线和所述各个位线的所述存储器单元之间的所述电荷的流动在所述各个位线上形成信号；(b)在保持连接至所述各个位线的读出放大器处于所述读出放大器不将所述信号放大至可存储信号电平的退激活状态时，将所述字线设置为退激活状态以使不足的电荷保留在与所述字线联接的所述存储器单元中，从而擦除存储在与所述字线联接的所述存储器单元中的所述数据；以及(c)使用所述存储器阵列的所选范围的每个其余的字线重复步骤(a)和步骤(b)以擦除存储在所述所选范围中的所述数据。