[发明专利]包括功率晶体管的电子控制电路和监控功率晶体管的使用寿命的方法

摘要

本发明涉及一种电气设备的电子控制电路(1)，尤其是设计为EC电机(M)的整流电子系统(2)，其具有多个在工作模式下被控制用来控制所述设备的功率晶体管(T1-T6)。一个附加的、类似的、在所述功率晶体管(T1-T6)的工作模式下不带电的参考晶体管(T_test)和所述功率晶体管(T1-T6)一起被设置或形成在一个共用的支撑物或基底上。所述电路还包括在测试模式下分别向所述参考晶体管(T_test)和至少一个所述功率晶体管(T1-T6)施加测试电流的装置，测量各个关联饱和电压(U_CE sat)的装置，以及估计由测量的参考晶体管(T_test)和各个功率晶体管(T1-T6)的饱和电压(U_CE sat)产生的饱和电压差的装置，考虑测量期间的支撑物/基底的温度，作为所述功率晶体管(T1-T6)的老化过程和预期剩余使用寿命的判据。本发明还涉及一种监控所述类型电子控制电路(1)的功率晶体管的预期剩余使用寿命的方法。

主权项

一种电气设备的电子控制电路(1)，尤其是设计为EC电机(M)的整流电子系统(2)，其具有多个在工作模式下被控制用来控制所述设备的功率晶体管(T1‑T6)，其特征在于一个附加的、类似的参考晶体管(T_test)，所述参考晶体管(T_test)在所述功率晶体管(T1‑T6)的工作模式下是不带电的，并和所述功率晶体管(T1‑T6)一起被设置或形成在一个共用的支撑物或基底上，在测试模式下分别向所述参考晶体管(T_test)和至少一个所述功率晶体管(T1‑T6)施加测试电流的装置，测量各个关联的饱和电压(U_CE sat)的装置，以及估计由测量的参考晶体管(T_test)和各个功率晶体管(T1‑T6)的饱和电压(U_CE sat)产生的饱和电压差的装置，其考虑测量期间的支撑物/基底的主要温度，作为所述功率晶体管(T1‑T6)的老化过程和预期剩余使用寿命的判据。