[发明专利]非平面晶体管的源极/漏极触点在审
| 申请号： | 201180074516.5 | 申请日： | 2011-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN103918083A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | S·S·普拉丹;S·M·乔希;J-S·全 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本描述涉及制造具有非平面晶体管的微电子设备的领域。本发明的实施例涉及在非平面晶体管内的源极/漏极触点的形成，其中在具有分立的硅化钛的源极/漏极触点的形成中可使用含钛接触界面，该分立的硅化钛形成在含钛界面和含硅源极/漏极结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 晶体管 触点 | ||
【主权项】：
一种微电子设备，包括：含硅源极/漏极区；与所述含硅源极/漏极区相邻的源极/漏极触点，其中所述源极/漏极触点包括导电接触材料以及设置在导电接触材料和所述含硅源极/漏极区之间的含钛接触界面层；以及硅化钛界面，其设置在所述含硅源极/漏极区和所述含钛接触界面层之间。
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