[发明专利]热式空气流量传感器有效
申请号: | 201180075125.5 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN103975226A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 石塚典男;半泽惠二;小野瀬保夫;佐久间宪之 | 申请(专利权)人: | 日立汽车系统株式会社 |
主分类号: | G01F1/692 | 分类号: | G01F1/692 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供减少了测量误差的热式空气流量传感器。上述热式空气流量传感器包括:半导体衬底;形成于上述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体;和将上述半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部,上述发热电阻体和上述测温电阻体形成在上述膜片部上,在上述发热电阻体和上述测温电阻体的上层具有作为上述电绝缘体而形成的氮化硅膜,其中,上述氮化硅膜形成有与上述发热电阻体和上述测温电阻体图案对应的台阶,并且,上述氮化硅膜为多层构造。 | ||
搜索关键词: | 空气 流量传感器 | ||
【主权项】:
一种热式空气流量传感器,其特征在于,包括:半导体衬底;形成于所述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体;和将所述半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部,所述发热电阻体和所述测温电阻体形成在所述膜片部上,在所述发热电阻体和所述测温电阻体的上层具有作为所述电绝缘体而形成的氮化硅膜,其中,所述氮化硅膜形成有与所述发热电阻体和所述测温电阻体图案对应的台阶,并且,所述氮化硅膜为多层构造。
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