[发明专利]允许装置互连中的变化的堆栈式存储器有效
申请号: | 201180075219.2 | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN103946980B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | K.舍马克;P.富格特 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 蒋骏,傅康 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 堆栈式存储器允许在装置互连中的变化。存储装置的实施例包括用于存储装置的系统元件和与系统元件连接的存储栈,系统元件包括多个衬垫,存储栈具有一个或多个存储器管芯层,系统元件和存储栈的连接包括用于连接第一存储器管芯层和系统元件的多个衬垫的互连。对于在存储栈中的单个存储器管芯层,多个衬垫的第一子集用于第一组互连,所述第一组互连用于系统元件和存储栈的连接,以及对于两个或更多的存储器管芯层,多个衬垫的第一子集和附加的第二子集用于第一组互连和第二组互连,所述第一组互连和第二组互连用于系统元件和存储栈的连接。 | ||
搜索关键词: | 允许 装置 互连 中的 变化 堆栈 存储器 | ||
【主权项】:
一种存储装置,包括:用于所述存储装置的系统元件,所述系统元件包括多个衬垫;以及与所述系统元件连接的存储栈,所述存储栈包括一个或多个存储器管芯层、所述系统元件和所述存储栈的连接包括用于连接第一存储器管芯层和所述系统元件的所述多个衬垫的多个互连;其中,对于在所述存储栈中的单个存储器管芯层,所述多个衬垫的第一子集用于第一组互连,所述第一组互连用于所述系统元件和所述存储栈的所述连接;以及其中,对于在所述存储栈中的两个或更多的存储器管芯层,所述多个衬垫的所述第一子集和附加的第二子集用于所述第一组互连和第二组互连,所述第一组互连和第二组互连用于所述系统元件和所述存储栈的所述连接,其中所述多个衬垫的所述第一子集被隔开,使得至少一个衬垫位于衬垫的所述第一子集的每一个衬垫之间,从而允许互连间距随着所述存储栈中的存储器管芯层的数量变化而变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的