[发明专利]用于单次曝光-自对准的双重、三重以及四重图案化的方法有效
| 申请号： | 201180075504.4 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103999191B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | F·M·奇诺尔;C·H·华莱士 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法，包括：在衬底的表面上形成图案，所述图案包括具有至少一个侧壁的分离的结构和与其间的材料层相补充的分离的结构中的一种分离的结构，所述至少一个侧壁限定相对于所述表面的倾斜角，所述材料层包括被改型为不同区域的体积，所述不同区域由相对于所述表面的至少一个倾斜角分隔开；以及使用所述图案来在所述衬底上限定电路特征，所述特征的间距小于所述图案的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 曝光 对准 双重 三重 以及 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种用于限定集成电路特征的方法，包括：在衬底的表面上形成图案，所述图案包括具有至少一个侧壁的分离的结构和与其间的材料层相补充的分离的结构中的一种分离的结构，所述至少一个侧壁限定相对于所述表面的倾斜角，所述材料层包括被改型为不同区域的体积，所述不同区域由相对于所述表面的至少一个倾斜角分隔开；以及使用所述图案来在所述衬底上限定电路特征，所述特征的间距小于所述图案的间距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180075504.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
