[发明专利]具有包含不同材料取向或组成的纳米线或半导体主体的共衬底半导体器件

摘要

描述了具有纳米线或半导体主体的共衬底半导体器件和用于形成这种共衬底器件的方法，其中所述纳米线或半导体主体具有不同材料取向或组成。例如，半导体结构包括具有设置于结晶衬底之上的第一纳米线或半导体主体的第一半导体器件。所述第一纳米线或半导体主体由具有第一全局晶体取向的半导体材料组成。所述半导体结构还包括具有设置于所述结晶衬底之上的第二纳米线或半导体主体的第二半导体器件。所述第二纳米线或半导体主体由具有不同于所述第一全局取向的第二全局晶体取向的半导体材料组成。所述第二纳米线或半导体主体通过设置于所述第二纳米线或半导体主体与所述结晶衬底之间的隔离基座与所述结晶衬底隔离。

主权项

一种半导体结构，包括：第一半导体器件，其包括设置于结晶衬底之上的第一纳米线，所述第一纳米线包括具有第一全局晶体取向的半导体材料；以及第二半导体器件，其包括设置于所述结晶衬底之上的第二纳米线，所述第二纳米线包括具有第二全局晶体取向的半导体材料，所述第二全局晶体取向不同于所述第一全局取向，并且所述第二纳米线通过设置于所述第二纳米线与所述结晶衬底之间的隔离基座与所述结晶衬底隔离。