[发明专利]具有调节高度的三维主体的半导体器件在审
| 申请号： | 201180075769.4 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN104054180A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | A·卡佩拉尼;K·J·库恩;R·里奥斯;A·C·达维拉拉托雷;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了具有调节高度的三维主体的半导体器件和形成这样的器件的方法。例如，半导体结构包括具有设置在衬底之上的第一半导体主体的第一半导体器件。第一半导体主体具有第一高度和带有第一水平面的最上表面。半导体结构还包括具有设置在衬底之上的第二半导体主体的第二半导体器件。第二半导体主体具有第二高度和带有第二水平面的最上表面。第一和第二水平面是共平面的，且第一和第二高度是不同的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 调节 高度 三维 主体 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一半导体器件，其包括设置在衬底之上的第一半导体主体，所述第一半导体主体具有第一高度和带有第一水平面的最上表面；以及第二半导体器件，其包括设置在所述衬底之上的第二半导体主体，所述第二半导体主体具有第二高度和带有第二水平面的最上表面，其中所述第一水平面和所述第二水平面是共平面的，且所述第一高度和第二高度是不同的。
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