[发明专利]具有金属伪特征的电感器设计有效
申请号: | 201180075931.2 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN104011860B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | M·A·埃尔-塔纳尼;J·B·里兹克 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/64;H01F17/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 韩宏,陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了用于通过实现导电金属伪装置在其设计中的架构来增强集成或片上电感器的性能的技术。在一些情况下,金属伪架构可设置在紧邻电感器的上表面的层中。技术可被实现来提高总电感器性能,同时实现例如面积缩放效应,例如在管芯上的电感器到电感器间隔的缩小和/或增强可在管芯上制造的电感器的质量。在一些情况下,导电金属伪装置可设置在相对于电感器的最小或无峰值磁场的区中,垂直于电感器中的电流,和/或以便最小化它们对电感器的总面积的占据。技术可在模拟电路(例如电感器‑电容器锁相环(LC‑PLL)、大容量结构、处理器微体系结构、涉及严格的抖动要求的应用、微处理器时钟、以及无线通信系统)中实现。 | ||
搜索关键词: | 具有 金属 特征 电感器 设计 | ||
【主权项】:
一种集成电路,包括:衬底;电感器,其设置在所述衬底中或所述衬底上;多个第一导电金属片,其设置在所述电感器下面并紧邻所述电感器的下表面;以及多个第二导电金属片,其设置在所述电感器上面并紧邻所述电感器的上表面;其中所述多个第一导电金属片具有比所述多个第二导电金属片紧密的间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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