[发明专利]双重图案化光刻技术有效
| 申请号： | 201180076082.2 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104025256A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | C·H·华莱士;S·希瓦库马;M·L·廷吉;C·D·穆纳辛哈;N·M·拉哈尔-乌拉比 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于在图案层之间使用阻挡层的光刻特征的双重图案化的技术。在一些情况下，例如该技术可以以一维或二维光刻特征的双重图案化来实施。在一些实施例中，在其上涂覆第二光致抗蚀剂图案之前，沉积阻挡层以保护第一光致抗蚀剂，和/或调整(例如缩小)借助光刻工艺要在衬底或其他适合的表面中形成的沟槽、孔或其他可蚀刻的几何特征的一个或多个关键尺寸。在一些实施例中，可以实施该技术以生成/印刷小特征(例如小于或等于约100nm)，包括不同复杂度的一维和二维特征/结构。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 图案 光刻 技术 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成集成电路结构，所述集成电路结构包括：衬底；第一光致抗蚀剂图案，所述第一光致抗蚀剂图案布置在所述衬底的至少一部分上；阻挡层，所述阻挡层布置在所述第一光致抗蚀剂图案的至少一部分上；以及第二光致抗蚀剂图案，所述第二光致抗蚀剂图案布置在所述阻挡层的至少一部分上；以及蚀刻所述结构以在所述衬底中限定特征，其中，组合的第一光致抗蚀剂图案和阻挡层的有效蚀刻速率与所述第二光致抗蚀剂图案的有效蚀刻速率不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
