[发明专利]具有隔离的主体部分的半导体器件有效
| 申请号： | 201180076400.5 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104137264B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | A·卡佩拉尼;S·M·塞亚;T·加尼;H·戈麦斯;J·T·卡瓦列罗斯;P·H·基斯;S·金;K·J·库恩;A·D·利拉科;R·里奥斯;M·萨尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了具有隔离的主体部分的半导体器件。例如，半导体结构包括设置于半导体衬底上方的半导体主体。所述半导体主体包括沟道区和沟道区的两侧上的源极区和漏极区对。隔离基座设置于所述半导体主体与所述半导体衬底之间。栅极电极堆叠体至少部分地包围所述半导体主体的沟道区的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 主体 部分 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：设置于半导体衬底上方的半导体主体，所述半导体主体具有第一宽度，并且包括沟道区和所述沟道区的两侧上的源极区和漏极区对；设置于所述半导体主体与所述半导体衬底之间的隔离基座，所述隔离基座具有平行于所述第一宽度并且小于所述第一宽度的第二宽度，所述隔离基座将所述半导体主体与所述半导体衬底完全电隔离；以及栅极电极堆叠体，其至少部分地包围所述半导体主体的所述沟道区的一部分。
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