[发明专利]在非天然表面上形成具有减小的表面粗糙度和体缺陷密度的异质层的方法以及由此形成的结构有效
| 申请号： | 201180076458.X | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN104160478A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | N·慕克吉;M·V·梅茨;J·M·鲍尔斯;V·H·勒;B·朱-金;M·R·勒梅;M·拉多萨夫列维奇;N·戈埃尔;L·周;P·G·托尔钦斯基;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了在非天然表面上形成具有减小的表面粗糙度和体缺陷密度的异质层的方法以及由此形成的器件。在一个实施例中，该方法包括提供带有具有晶格常数的顶表面的衬底以及将第一层沉积在衬底的顶表面上。第一层具有顶表面，该顶表面的晶格常数不同于衬底的顶表面的第一晶格常数。第一层被退火并抛光以形成抛光表面。第二层然后沉积在抛光表面之上。 | ||
| 搜索关键词： | 天然 表面上 形成 具有 减小 表面 粗糙 缺陷 密度 异质层 方法 以及 由此 结构 | ||
【主权项】：
一种形成结构的方法，包括：提供带有具有第一晶格常数的顶表面的衬底；将第一层沉积在所述衬底的顶表面上，其中所述第一层带有具有第二晶格常数的顶表面，所述第二晶格常数不同于所述第一晶格常数；使所述第一层退火；抛光所述第一层，以形成具有第三晶格常数的第一抛光表面；以及将第二层沉积在所述第一抛光表面之上，其中所述第二层带有具有第四晶格常数的顶表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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