[其他]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201190000056.7 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN203415553U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括衬底(100)、栅极堆叠、第一层间介质层(115)、源/漏区(101)，其中：所述源/漏区(101)嵌于所述衬底(100)中，所述栅极堆叠形成在所述衬底(100)之上，所述第一层间介质层(115)覆盖所述源/漏区(101)，所述栅极堆叠依次包括：与衬底(100)接触的栅极介质层(111)、金属栅极(112)和CMP停止层(113)，其中，所述CMP停止层(113)的硬度系数大于多晶硅的硬度系数。本实用新型通过增加CMP停止层，有效降低了金属栅的高度，因此有效减少了金属栅与接触区的电容，并优化了后续的接触孔刻蚀工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，该半导体结构包括衬底（100）、栅极堆叠、第一层间介质层（115）、源/漏区（101），其中： 所述源/漏区（101）嵌于所述衬底（100）中，所述栅极堆叠形成在所述衬底（100）之上，所述第一层间介质层（115）覆盖所述源/漏区（101）， 其特征在于， 所述栅极堆叠依次包括：与衬底（100）接触的栅极介质层（111）、金属栅极（112）和CMP停止层（113）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
