[其他]晶体管有效
| 申请号： | 201190000072.6 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN202633241U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/425 | 分类号： | H01L21/425;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;卢江 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶体管。该晶体管（100）包括：半导体衬底（102）；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质（104）；形成在所述栅极电介质上的栅极（106）；位于所述栅极电介质下方的沟道区（112）；位于所述半导体衬底中、且分别在所述沟道区两侧的源区（108）和漏区（110），其中至少所述源区和漏区之一包含毗邻所述沟道区、在垂直于所述半导体衬底的表面的方向上排列的一组位错（101），该组位错包含至少两个位错。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
晶体管，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述栅极电介质下方的沟道区；位于所述半导体衬底中、且分别在所述沟道区两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含毗邻所述沟道区、在垂直于所述半导体衬底的表面的方向上排列的一组位错，该组位错包含至少两个位错；其中所述位错对位于源区和漏区之间的沟道区施加拉应力，使得所述沟道区的电子迁移率增加。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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