[发明专利]线宽间距交变结构型平面螺旋电感有效
| 申请号： | 201210001680.X | 申请日： | 2012-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102522181A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 田文超;孙昊;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F17/02 | 分类号： | H01F17/02 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可应用于射频集成电路的线宽间距交变结构型平面螺旋电感，硅衬底上生长有螺旋电感的绝缘层，绝缘层上镀金属薄膜刻蚀电感底层金属层，底层金属层上沉积绝缘层，绝缘层刻蚀通孔，连接底层金属层和螺旋电感层，绝缘层上镀金属薄膜刻蚀螺旋电感金属层，螺旋电感金属层线圈为多匝，线圈图案由导电金属构成。本发明的金属线宽自外圈向内圈宽窄交替变化，金属线间距自外圈向内圈宽窄交替变化，降低了串联等效电阻导致的欧姆损耗，降低了金属导线间的临近效应，提高了螺旋电感品质因数Q值，增加了金属线圈之间的互感，提高了螺旋电感的电感值。 | ||
| 搜索关键词： | 间距 结构 平面 螺旋 电感 | ||
【主权项】：
一种线宽间距交变结构型平面螺旋电感，包括硅衬底、绝缘层、平面螺旋电感底层金属层、通孔、平面螺旋电感金属层；所述的硅衬底上生长有螺旋电感的绝缘层，绝缘层上镀金属薄膜刻蚀电感底层金属层，底层金属层上沉积绝缘层，绝缘层刻蚀通孔，连接底层金属层和螺旋电感层，绝缘层上镀金属薄膜刻蚀螺旋电感金属层，螺旋电感金属层线圈为多匝，线圈图案由导电金属构成；其特征在于，所述平面螺旋电感金属层的金属线宽自外圈向内圈宽窄交替变化，金属线间距自外圈向内圈宽窄交替变化。
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