[发明专利]具有高导通n型欧姆接触的发光二极管及制作方法有效
| 申请号： | 201210003578.3 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN102569556A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 叶孟欣;吴志强;黄少华;周启伦 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高导通n型欧姆接触的发光二极管及制作方法。在本发明中，发光二极管，在发光外延层的n侧上形成一电子浓度达1×1020cm-3以上的高掺杂n型欧姆接触缓冲层，当去除生长衬底时，露出表面的n型欧姆接触缓冲层，其为低能隙、非氮极性面N型GaN基材料，n型欧姆接触电极制作在该n型欧姆接触缓冲层上，可沿用Ti/Al欧姆接触电极，因此可以完全避开氮极性面欧姆接触的问题，且可保证薄膜GaN基发光器件具有较低的工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高导通 欧姆 接触 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
具有高导通n型欧姆接触的发光二极管外延结构的制造方法，包括以下步骤：提供一生长衬底；在生长衬底上形成一高掺杂n型欧姆接触缓冲层，其电子浓度大于或等于1×1020cm‑3；在n型欧姆接触缓冲层上外延生长发光外延层，其至下而上至少包括：n型半导体层 、活性层、p型半导体层。
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