[发明专利]一种半导体芯片的加工方法

摘要

一种半导体芯片的加工方法。涉及一种无机械损伤的裂解工艺。提供了一种能高效、无机械损伤，且为后续加工提供友好衔接措施的半导体芯片的加工方法。包括以下步骤：对晶片进行扩散、设置氧化层和在氧化层上光刻窗口的工序；光刻窗口后，所述氧化层在晶片表面呈网格状；然后按以下步骤加工：1）、设置电极层；2）、一次酸蚀；3）、二次酸蚀；本发明工艺中先形成电极窗口，往晶片表面所述电极窗口上镀覆金属电极层。金属电极层在后道两次酸腐蚀过程中，基本与酸无反应。强酸与硅质的晶片本体有强烈的化学反应，并能迅速“蚀透”晶片本体，进而使得晶片按照设计形状裂解，最终制得常规手段难以获得的六角形、圆形等芯片。

主权项

一种半导体芯片的加工方法，包括以下步骤：对晶片进行扩散、设置氧化层和在氧化层上光刻窗口的工序；光刻窗口后，所述氧化层在晶片表面呈网格状；其特征在于，然后按以下步骤加工：1）、设置电极层；往所述窗口内晶片表面镀覆金属电极层； 2）、一次酸蚀；采用氢氟酸去除晶片表面的网格状氧化层，在所述金属电极层之间形成网格状沟槽； 3）、二次酸蚀；沿网格状沟槽往下注入混酸，腐蚀晶片本体，直至蚀透晶片本体，使得晶片本体分裂为若干芯片；制得。