[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 201210005467.6 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102592970A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 宫胜彦;藤原直澄 | 申请（专利权）人： | 大日本网屏制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 董雅会;郭晓东 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不使用用于形成凝固体的冷却气体，就能够良好地对基板进行清洗处理的基板处理方法以及基板处理装置。向基板(W)供给作为凝固对象液体的过冷却状态的DIW，借助落在基板(W)而产生的冲击来形成DIW的凝固体。由此，无需使用形成凝固体所需要的气体的冷媒，不需要用于生成气体的冷媒的设备，从而能够缩短处理时间，还能够抑制运转成本等。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其特征在于，包括：准备工序，以液体状态准备要向基板供给的凝固对象液体，凝固体形成工序，将所述准备工序中准备的所述凝固对象液体经由空间供给至所述基板，在所述基板上形成所述凝固对象液体的凝固体，除去工序，除去所述基板上的所述凝固对象液体的凝固体；所述凝固对象液体借助从所述准备工序到所述凝固体形成工序为止所受到的外部刺激而凝固。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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