[发明专利]有效减少孔显影缺陷的显影方法

摘要

本发明提出的可有效减少孔显影缺陷的显影方法，其步骤包括：A.RRC润湿；B.RRC去除；C.第一次显影；D.显影液去除；E.第二次显影；F.显影液去除；G.低速短时清洗；H.第一次高速长时清洗；I.清洗液去除；J.第二次高速长时清洗；K.清洗液去除。通过对涂敷光刻胶的硅片喷洒表面活性剂，对光刻胶层进行预湿润，可以使后续喷洒的显影液能够充分与光刻胶表面接触，从而使得显影液与光刻胶进行充分的反应。并且，通过两次高速长时清洗并且在两次高速长时清洗之间进行清洗液去除，可以完全去除显影反应产生的残渣，从而有效地减少斜线缺陷和接触孔堵塞缺陷的发生，最终提高半导体器件的电性和良率。

主权项

一种有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步、对涂敷有光刻胶的硅片进行表面活性剂润湿，使后续喷的显影液与光刻胶充分接触；第二步、表面活性剂去除；第三步、第一次显影，先将部分曝光处的光刻胶反应掉；第四步、去除显影液和反应后的残渣；第五步、第二次显影，与曝光处剩下的光刻胶进行充分的反应；第六步、去除显影液和反应后的残渣；第七步、第一次高速长时清洗，将大部分的显影液和残渣去除；第八步、清洗液去除，去除混有显影液和残渣的清洗液；第九步、第二次高速长时清洗，将残留的显影液和残渣都去掉；第十步、清洗液去除，将硅片表面的清洗液全部去除。