[发明专利]一种降低快闪存储器阈值电压分布范围的方法无效
| 申请号： | 201210006029.1 | 申请日： | 2012-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102568596A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 伍冬;潘立阳 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 朱琨 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了属于快闪存储器电路设计技术领域的一种降低快闪存储器阈值电压分布范围的方法。它包括以下步骤：1)对快闪存储器的所有存储单元施加擦除脉冲；2)通过擦除验证操作来判断快闪存储器所有存储单元的阈值电压是否低于第一预设值Vr1；3)通过调整控制Vstep的大小来控制Vd的大小，Vd随着Vstep的增加而减小。本发明的有益效果为：能够有效降低擦除操作后存储单元阈值电压的分布范围，扩大数据的存储空间，有利于将快闪存储器作为图象传感器等需要存储更多位模拟值的场合中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 闪存 阈值 电压 分布 范围 方法 | ||
【主权项】：
一种降低快闪存储器阈值电压分布范围的方法，其特征在于，它包括以下步骤：1)首先对快闪存储器的所有存储单元施加擦除脉冲，以降低快闪存储器的所有存储单元的阈值电压；2)然后通过擦除验证操作来判断快闪存储器所有存储单元的阈值电压是否低于第一预设值Vr1，如果不是，需要再次对存储单元施加擦除脉冲，如果是，则说明所有存储单元的阈值电压已经低于第一预设值Vr1；3)对存储单元施加软编程操作以提高存储单元的阈值电压，该软编程操作控制加到存储单元栅极的电压Vw大小满足如下条件：Vw‑Vr1＝Vstep，从而使得存储单元的阈值电压经过特定时间的编程操作后逐渐收敛到第二预设值Vr2，其中Vr1‑Vr2＝Vd，而Vd就是擦除操作后存储单元阈值电压的分布范围，通过调整控制Vstep的大小来控制Vd的大小，Vd随着Vstep的增加而减小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210006029.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
