[发明专利]一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210006606.7 | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102560374A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 孟亮;王峰;汪牡丹 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法。镀膜基底在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗，再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗烘干；溅射纯Fe膜，控制基底温度及厚度。将纯Fe膜和硫粉封装于玻璃管中硫化处理。发明可得到细小均匀的先驱体铁膜晶粒度，晶粒尺寸大小可方便控制。可以利用优化先驱体膜溅射及随后的硫化处理两不同技术的优化，灵活控制最终得到的FeS2薄膜质量及状态，控制手段和过程更为灵活，有利于优化制备技术。也可为FeS2薄膜的工业化生产提供更多选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 先驱 晶粒 制备 fes sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法，其特征在于该方法的步骤如下：1）在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗镀膜基底；2）再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗，烘干；3）将镀膜基底置于磁控溅射设备中，采用不同温度加热镀膜基底；4）在镀膜基底上溅射纯Fe膜，通过调整溅射功率和时间溅射控制纯Fe膜厚度后保温；5）将溅射得到的纯Fe膜和纯硫粉封装于玻璃管中；6）封装后的纯Fe膜经硫化处理形成FeS2薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210006606.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
