[发明专利]基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法无效
| 申请号： | 201210007340.8 | 申请日： | 2012-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN102530936A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;吕晋军;张玉明;张克基;邓鹏飞;雷天民 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、层数不均匀的问题。其实现过程是：先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中，向石英管中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700-1100℃下SiC与Cl2反应3-8min，生成碳膜；将生成的碳膜置于Ar气中，在温度为1000-1200℃下退火10-30min生成石墨烯。用本发明工艺简单，安全性高，生成的石墨烯表面光滑，孔隙率低，可用于对气体和液体的密封。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cl sub 反应 sic 衬底 制备 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于，制备方法包括以下步骤：(1)对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，加热至700‑1100℃；(3)向石英管中通入Ar气和Cl2气的混合气体，持续时间3‑8min，使Cl2与3C‑SiC反应生成碳膜；(4)将生成的碳膜样片置于Ar气中在温度为1000‑1200℃下退火10‑30min，使碳膜重构成石墨烯。
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