[发明专利]用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料有效

专利信息
申请号: 201210007630.2 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN103205710A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 程东明 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: C23C14/14 分类号: C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58;C22C1/00
代理公司: 郑州中原专利事务所有限公司 41109 代理人: 霍彦伟
地址: 450001 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开一种用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料,是按照下述步骤进行的:A、在热沉上制作锡层、在锡层上镀金层、在金层上镀上负膨胀层,其中金、锡、负膨胀层材料的质量比依次为4:1:0.5~1;B、将步骤A中得到的材料在50~100℃退火1~15分钟。本发明中在金锡合金中掺入了负热膨胀系数材料,这些材料在温度升高时体积反而缩小,温度降时体积变大,与普通材料的热胀冷缩正好相反。本发明利用负热膨胀系数与金锡结合,经过合理的成分配比,得到热膨胀系数与管芯一致的焊料。通过调节的成分比,可以改变最终得到焊料的热膨胀系数。另外,本发明可以掺入到焊膏中,根据想要得到的热膨胀系数,来配比负膨胀系数材料。
搜索关键词: 用于 半导体激光器 列阵 热膨胀 系数 调节 焊料
【主权项】:
一种用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料,其特征在于是按照下述步骤进行的:A、在热沉上制作锡层、在锡层上镀金层、在金层上镀上负膨胀层,其中金、锡、负膨胀层材料的质量比依次为4:1:0.5~1;B、将步骤A中得到的材料在50~100℃退火1~15分钟。
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