[发明专利]在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法

摘要

本发明公开了在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯面积小、层数不均匀的问题。本发明采用在4-12英寸的Si衬底基片上先生长一层碳化层作为过渡，然后在温度为1150℃-1300℃下进行3C-SiC异质外延薄膜的生长，生长气源为C3H8和SiH4，然后将3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜，再在Ar气中温度为1000-1100℃下退火10-20min生成双层石墨烯。本发明具有双层石墨烯面积大，表面光滑，孔隙率低的优点，可用于对气体和液体的密封。

主权项

一种在3C‑SiC衬底上制备石墨烯的方法，包括以下步骤：(1)对4‑12英寸的Si衬底基片进行标准清洗；(2)将清洗后的Si衬底基片放入CVD系统反应室中，对反应室抽真空达到10‑7mbar级别；(3)在H2保护的情况下逐步升温至碳化温度950℃‑1150℃，通入流量为30ml/min的C3H8，对衬底进行碳化3‑7min，生长一层碳化层；(4)迅速升温至生长温度1150℃‑1300℃，通入C3H8和SiH4，进行3C‑SiC异质外延薄膜的生长，时间为36‑60min，然后在H2保护下逐步降温至室温，完成3C‑SiC外延薄膜的生长；(5)将生长好的3C‑SiC样片置于石英管中，加热至800‑1000℃；(6)加热CCl4至60‑80℃，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管中与3C‑SiC反应，生成双层碳膜，Ar气流速为50‑80ml/min，反应时间为30‑120min；(7)反应结束后，将生成的双层碳膜样片置于Ar气中在温度为1000‑1100℃下退火10‑20分钟，重构成双层石墨烯。