[发明专利]一种提高磁体矫顽力的装置和方法有效
| 申请号： | 201210007966.9 | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102522193A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李金龙;李洪波;薛群基 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C23C8/36 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 祝莲君;雷芳 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高磁体矫顽力的装置和方法。具体地，本发明公开了一种提高磁体矫顽力方法，所述方法为在真空室中，对磁体的至少一个主表面进行离子轰击，从而提高磁体的矫顽力。本发明采用不同种类和不同加速电压的离子轰击磁体，不需要在磁体中加入其他合金元素，可在磁体中诱发可长距离传播的非线性点阵激发，引入各种缺陷钉扎磁畴，显著提高磁体矫顽力，而且不会降低磁能积等其他磁性能指标。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 磁体 矫顽力 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种提高磁体矫顽力的装置，其特征在于，包含：(i)真空室，所述真空室用于放置待提高矫顽力的磁铁；(ii)离子轰击系统，所述离子轰击系统产生离子并使所述离子轰击所述待提高矫顽力的磁铁。
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