[发明专利]具有接合焊盘和屏蔽结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210008175.8 | 申请日： | 2012-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102790059A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡双吉;杨敦年;刘人诚;王文德;林政贤;何承颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有对应于半导体器件的正面和半导体器件的背面的正面和背面；金属部件，形成在器件衬底的正面上；接合焊盘，被设置在半导体器件的背面上，并且与金属部件电连通；以及屏蔽结构，被设置在器件衬底的背面上，其中，屏蔽结构和接合焊盘具有彼此不同的厚度。本发明还提供了具有接合焊盘和屏蔽结构的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接合 屏蔽 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：器件衬底，具有对应于所述半导体器件的正面和所述半导体器件的背面的正面和背面；金属部件，形成在所述器件衬底的所述正面上；接合焊盘，被设置在所述半导体器件的所述背面上，并且与所述金属部件电连通；以及屏蔽结构，被设置在所述器件衬底的所述背面上，其中，所述屏蔽结构和所述接合焊盘具有彼此不同的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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