[发明专利]太阳电池和半导体器件以及其制造方法有效
申请号: | 201210008282.0 | 申请日: | 2006-01-12 |
公开(公告)号: | CN102522462A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 西和夫;青木智幸;伊佐敏行;藤井严 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 屠长存 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及太阳电池和半导体器件以及其制造方法,目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化,以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法,包括以下步骤:在衬底上形成第一电极层;在所述第一电极层上形成光电转换层;在所述光电转换层上形成有机材料层;在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口;在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层,其中,所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质,因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明,通过在光电转换层的表面上形成有机材料层,可以降低光电转换层的润湿性。从而,可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳电池的制造方法,包括以下步骤:在衬底上形成第一电极层;在所述第一电极层上形成非晶半导体层;通过在所述非晶半导体层的顶表面上形成有机材料层来降低所述非晶半导体层的顶表面的润湿性;在所述有机材料层和所述非晶半导体层中形成到达所述第一电极层的开口;以及通过以导电膏填充所述开口使得不从所述开口溢出而形成第二电极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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