[发明专利]超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻及其制造方法无效
| 申请号： | 201210008463.3 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102426889A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 钱朝勇;张子川;杨彬 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安电子线路保护有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C17/065 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为一种片式陶瓷正温度系数热敏电阻，尤其是一种节省装配空间，提高产量且不影响电性能的超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻及其制造方法。一种超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻，以传统钛酸钡陶瓷PTC薄膜为中间基体，两端或者两面涂覆电极，电阻率和居里温度里与传统PTC热敏电阻相同，其尺寸以mm计，为(3.10～3.13)×（1.58～1.61）×0.50±0.01。本发明还提供了所述的超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻的制造方法，采用流延成膜或涂覆成膜工艺，可有效控制膜片的厚度，成型后膜片厚度很薄，烧结后芯片尺寸能做到0603型产品甚至更小，适用于更小的装配空间。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄型 陶瓷 温度 系数 热敏电阻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻，以传统钛酸钡陶瓷PTC薄膜为中间基体，两端或者两面涂覆电极，电阻率和居里温度里与传统PTC热敏电阻相同，其特征在于：尺寸以mm计，为 (3.10～3.13) *（1.58～1.61）*0.50±0.01。
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