[发明专利]一种静电释放保护电路及包括该电路的显示装置有效
申请号: | 201210008976.4 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102651366A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 段立业;吴仲远;袁广才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G09G3/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种静电释放保护电路及包括该保护电路的显示装置,该电路包括都为耗尽型薄膜晶体管的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;第一薄膜晶体管的栅极与第二电平线连接,漏极与第一电平线连接,源极与信号线连接;第二薄膜晶体管的栅极与第一电平线连接,漏极与第二电平线连接,源极与信号线连接。正常工作时,本电路可以有效避免信号线释放大量电流,保证显示装置内部阵列正常工作;在静电产生时,能迅速释放信号线上积累的静电荷,保证显示装置内部阵列免受静电伤害。本发明可以利用低成本的耗尽型薄膜晶体管实现静电释放,降低静电释放保护电路的生产成本,从而降低包括该保护电路的显示装置的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 释放 保护 电路 包括 显示装置 | ||
【主权项】:
一种静电释放保护电路,其特征在于,该电路包括:第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中,第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为耗尽型薄膜晶体管;第一薄膜晶体管的栅极与第二电平线连接,漏极与第一电平线连接,源极与信号线连接;第二薄膜晶体管的栅极与第一电平线连接,漏极与第二电平线连接,源极与信号线连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的