[发明专利]超结高压功率器件结构

摘要

本发明涉及一种超结高压功率器件结构。功率半导体器件会受到结曲率效应的影响而导致电场在结附近聚集，使器件极易发生击穿，需要改善器件的耐压程度。本发明包括有源区和终端区，终端区在衬底层上设置第一导电类型材料的外延层，在外延层上形成复合缓冲层，复合缓冲层中含有交替排列的第一种导电类型材料构成的第一半导体区和第二种导电类型材料构成的第二半导体区；第二导电类型的阱区位于第二半导体区的表面，处于两个第一半导体区之间或最后一个第一半导体区与截止环之间。本发明可以提高超结器件终端的耐压和可靠性，能使终端承受与元胞区相近的耐压，并且这种结构可以用传统的超结半导体制造工艺实现，不会增加工艺的难度及生产成本。

主权项

一种超结高压功率器件结构，其特征在于：包括有源区和有源区外围的终端区：有源区由重复排列的元胞构成的,单个元胞包括源区n+、栅氧化层、栅电极、漏极、BPSG层、源极、一个第一导电类型材料的衬底层；在衬底层上设置第一导电类型材料的外延层；每一个元胞的器件特征区域的器件特征层与外延层之间设置有一个复合缓冲层，复合缓冲层中含有第一种导电类型材料构成的第一半导体区和第二种导电类型材料构成的第二半导体区；终端区包括位于半导体材料上的场氧化层、位于有源区与终端过渡区域的主结、位于器件最外围的截止环、BPSG层、一个第一导电类型材料的衬底层、至少一个第二导电类型的阱区、位于主结处氧化层之上的第一金属场板、位于截止环上的第二金属场板、位于主结场板与截止环场板之间的第三金属场板，在衬底层上设置第一导电类型材料的外延层，在外延层上形成复合缓冲层，复合缓冲层中含有交替排列的第一种导电类型材料构成的第一半导体区和第二种导电类型材料构成的第二半导体区；第二导电类型的阱区位于第二半导体区的表面，处于两个第一半导体区之间或最后一个第一半导体区与截止环之间。