[发明专利]基于低温水热法实现大长径比ZnO纳米线阵列膜的多次外延生长方法无效
| 申请号： | 201210009418.X | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102534780A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 贺永宁;康雪;张雯;彭文博 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/62;C30B19/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于低温水热法实现大长径比ZnO纳米线阵列膜的多次外延生长方法，包括如下步骤：在硅基片上进行ZnO纳米籽晶层的溅射沉积；以ZnO纳米籽晶层作为引导层，利用水热法实现ZnO纳米线垂直取向阵列的生长，生长时间3小时；清洗试样，在ZnO纳米线阵列单次生长试样上继续应用水热法进行二次外延生长，生长时间3小时。本发明实现了单根ZnO纳米线顶端沿着(0001)方向的湿法外延生长，大幅度增大了纳米线的长径比，克服了单次ZnO纳米线生长条件下随生长时间延长的生长饱和现象。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 温水 实现 长径 zno 纳米 阵列 多次 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种基于低温水热法实现大长径比ZnO纳米线阵列膜的多次外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在基片上进行ZnO纳米籽晶层的溅射沉积；2)以ZnO纳米籽晶层作为引导层，利用水热法实现ZnO纳米线垂直取向阵列的生长；3)清洗试样，在ZnO纳米线阵列单次生长试样上继续应用水热法进行二次外延生长；4)重复步骤3)，实现多次外延生长。
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