[发明专利]一种低压本征NMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210009713.5 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050529A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;石晶;钱文生;胡君;段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压本征NMOS器件包括：硅衬底上部形成有注入区，注入区旁侧形成有浅沟槽隔离，注入区上部形成有N型源漏区，注入区和硅衬底上方形成有栅氧化层，栅氧化层上方形成有栅多晶硅层，栅氧化层和栅多晶硅层的两侧形成有隔离侧墙，N型源漏区和栅多晶硅层通过接触孔引出连接金属连线。本发明还公开了一种低压本征NMOS器件的制造方法。本发明的本征低压NMOS器件通过提高沟道两侧掺杂浓度，能有效地抑制了源漏穿通的发生，不需要通过拉长器件沟道的方式来避免源漏穿通现象的发生，有利于低压本征NMOS器件的小型化，有利于减小应用低压本征NMOS器件的电路面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 nmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低压本征NMOS器件，其特征是，包括：硅衬底上部形成有注入区，注入区旁侧形成有浅沟槽隔离，注入区上部形成有N型源漏区，注入区和硅衬底上方形成有栅氧化层，栅氧化层上方形成有栅多晶硅层，栅氧化层和栅多晶硅层的两侧形成有隔离侧墙，N型源漏区和栅多晶硅层通过接触孔引出连接金属连线。
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