[发明专利]镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器及其制备方法有效
申请号: | 201210009896.0 | 申请日: | 2012-01-13 |
公开(公告)号: | CN102522448A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 朱丽萍;郭艳敏;杨治国;叶志镇 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 刘晓春 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器,包括沿垂直方向依次设置的衬底,底层NiO薄膜,两层以上的多层镁镍氧薄膜,帽层NiO薄膜,第一金属电极(欧姆接触)和第二金属电极(肖特基接触),所述的多层镁镍氧薄膜由沿垂直方向对称分布的Mgx1Ni1-x1O、Mgx2Ni1-x2O、Mgx3Ni1-x3O……MgxmNi1-xmO、MgO、MgxmNi1-xmO……Mgx3Ni1-x3O、Mgx2Ni1-x2O、Mgx1Ni1-x1O薄膜构成,其中,0<x1<x2<x3<……<xm<1,MgO薄膜为中间层,多层镁镍氧薄膜中的其余薄膜相对于中间层沿垂直方向对称分布。其制备方法为:在衬底表面以下列生长工艺中的一种或多种依次生长薄膜和电极,所述生长工艺采用脉冲激光沉积法、磁控溅射法、电子束蒸发法或分子束外延法。本发明的优点是:通过调节外加偏压,可以实现多波段日盲区紫外探测,实现了器件的集成,单个探测器即可实现多个日盲区波段的探测,相对于分立器件具有低成本,工艺简单,重复性好,易于实现等优点。 | ||
搜索关键词: | 镁镍氧 基多 波段 盲区 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种镁镍氧基多波段日盲区紫外探测器,其特征在于:包括沿垂直方向依次设置的衬底(1), 底层NiO薄膜(2),多层镁镍氧薄膜(3),帽层NiO薄膜(4),所述探测器还设有第一金属电极(5)和第二金属电极(6),第一金属电极(5)设置在底层NiO薄膜(2)上,第二金属电极(6)设置在帽层NiO薄膜(4)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的