[发明专利]输出电路

摘要

本发明提供输出电路，其能够流过更充分的输出电流。在PMOS晶体管(12)的漏极电流大的情况下，PMOS晶体管(13)在非饱和区域内进行动作。此时，NMOS晶体管(14)以及(17)的栅极电压上升到电源端子电压附近。因此，NMOS晶体管(17)的栅极/源极间电压变大而流过充分的输出电流。

主权项

一种输出电路，其对输入到输入端子的信号进行放大，从输出端子输出，其特征在于，该输出电路具有：第1个第一导电类型MOS晶体管，其栅极与上述输入端子连接，源极与第一电源端子连接，漏极与上述输出端子连接；第2个第一导电类型MOS晶体管，其栅极与上述输入端子连接，源极与上述第一电源端子连接；第一电流源，其一个端子与上述第2个第一导电类型MOS晶体管的漏极连接，另一个端子与第二电源端子连接；电流镜电路，其具有第3个第一导电类型MOS晶体管以及第4个第一导电类型MOS晶体管，上述第3个第一导电类型MOS晶体管的栅极以及漏极与上述第一电流源的一个端子连接，上述第4个第一导电类型MOS晶体管的栅极与上述第3个第一导电类型MOS晶体管的栅极连接，对上述第一电流源的电流与上述第2个第一导电类型MOS晶体管的漏极电流之间的差分电流进行镜像；第1个第二导电类型MOS晶体管，其栅极以及漏极与上述第4个第一导电类型MOS晶体管的漏极连接；第二电流源，其一个端子与上述第1个第二导电类型MOS晶体管的源极连接，另一个端子与上述第二电源端子连接；第三电流源，其一个端子与上述第一电源端子连接；第2个第二导电类型MOS晶体管，其栅极与上述第三电流源的另一个端子连接，源极与上述第二电流源的一个端子连接，漏极与上述第一电源端子连接；第3个第二导电类型MOS晶体管，其栅极以及漏极与上述第三电流源的另一个端子连接，源极与上述第二电源端子连接；以及第4个第二导电类型MOS晶体管，其栅极与上述第1个第二导电类型MOS晶体管的漏极连接，源极与上述第二电源端子连接，漏极与上述输出端子连接。