[发明专利]一种用于太阳能电池的方形区熔硅单晶生产方法无效

专利信息
申请号: 201210010550.2 申请日: 2012-01-14
公开(公告)号: CN102560644A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 张雪囡;王彦君;王岩;高树良;沈浩平 申请(专利权)人: 天津市环欧半导体材料技术有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B13/20;C30B13/30
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 莫琪
地址: 300384 天津市西青*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于太阳能电池的方形区熔硅单晶生产方法,热系统采用的线圈为正方形线圈,正方形线圈线中心的孔为正方形孔,正方形线圈包括4条狭缝,所述方法包括如下步骤:a、扩肩时逐渐以-1~-4rpm/min的速率逐渐关闭下轴转速;b、关闭下轴转速时,需降低加热线圈的功率和上轴速度;c、扩肩需要缓慢扩肩,扩肩角度≤40°;本发明热系统采用的线圈为正方形线圈,所生产的区熔硅单晶柱为方形,只需进行一些平整度加工即可进行切片,材料利用率由原来的63.66%提高到了95%以上,大大降低了区熔硅单晶太阳能电池的成本,节省了各种资源。
搜索关键词: 一种 用于 太阳能电池 方形 区熔硅单晶 生产 方法
【主权项】:
一种用于太阳能电池的方形区熔硅单晶生产方法,其特征在于:生产方形区熔硅单晶的热系统采用的线圈为正方形线圈,正方形线圈形状为铜质扁平状方盘,正方形线圈的作用为调整电流分布,使得线圈表面电流路径为正方形,从而使正方形线圈所产生的温度分布的等温线为正方形,正方形线圈中心为正方形孔,正方形线圈上有4条狭缝,4条狭缝分别位于正方形线圈的对角线上;其中一条狭缝延伸至线圈外部、另三条狭缝的长度为线圈对角线长度的0.2~0.3倍;所述方法包括如下次序步骤:扩肩时逐渐以‑1~‑4rpm/min的速率逐渐关闭下轴转速;关闭下轴转速时,需降低加热线圈的功率和上轴速度;扩肩需要缓慢扩肩,扩肩角度≤40°。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市环欧半导体材料技术有限公司,未经天津市环欧半导体材料技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210010550.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top