[发明专利]掺杂二氧化铈的铌锑-锆钛酸铅压电陶瓷无效
| 申请号： | 201210010847.9 | 申请日： | 2012-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102584228A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 孙清池;吴涛;马卫兵;刘志华;李建平 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外加二氧化铈的铌锑锆钛酸铅压电陶瓷材料，其组分及其质量百分比含量为Pb0.93Ba0.07(Nb1/2Sb1/2)0.06(Zr0.52Ti0.48)0.94O3+xwt.％CeO2，其中x＝0.1～5.0。烧结温度为1220℃～1280℃，保温2h。本发明采用传统的固相合成制备方法，提供了一种综合电学性能良好的铌锑锆钛酸铅压电陶瓷，其成分及步骤简单、易于操作、重复性好、成品率高。本发明所得的压电陶瓷非常适用于制备大功率驱动器、高温检测器件等对压电陶瓷综合性能有较高要求的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化 锆钛酸铅 压电 陶瓷 | ||
【主权项】：
一种掺杂二氧化铈的铌锑‑锆钛酸铅压电陶瓷，其原料组分及其质量百分比含量为：以Pb0.93Ba0.07(Nb1/2Sb1/2)0.06(Zr0.52Ti0.48)0.94O3为基石出，外加xwt.％CeO2，其中x＝0.1～5.0。
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